朗姆研究申请氨基硅烷抑制剂选择性吸附的等离子体预处理专利，抑制膜在衬底表面第二材料上的沉积

国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“氨基硅烷抑制剂选择性吸附的等离子体预处理”的专利，公开号CN121039320A，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，所公开的示例涉及使用干式工艺将氨基硅烷抑制剂选择性地吸附至衬底表面。一示例提供了一种用于选择性地将膜沉积至衬底表面的第一材料上的方法，所述衬底表面还包含第二材料。所述方法包含：将所述衬底表面暴露于在等离子体中形成的反应物质。所述方法还包含：在将所述衬底表面暴露于在所述等离子体中形成的所述反应物质之后，将所述衬底表面暴露于氨基硅烷抑制剂。相较于所述氨基硅烷抑制剂吸附至所述衬底表面的所述第一材料上，所述氨基硅烷抑制剂以较高浓度吸附至所述第二材料上。所述方法还包含沉积所述膜，其中相较于所述膜沉积至所述第一材料上，所述第二材料上的所述氨基硅烷抑制剂抑制所述膜在所述第二材料上的沉积。

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来源：市场资讯