派恩杰半导体申请一种JFET器件及其制造方法专利，减小了系统成本

国家知识产权局信息显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司申请一项名为“一种JFET器件及其制造方法”的专利，公开号CN121335167A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种JFET器件及其制造方法，其包括衬底（104），衬底（104）上形成栅极沟槽，衬底（104）上注入有源极N+区（106）和位于栅极沟槽侧壁的栅极P区（105），栅极P区（105）、源极N+区（106）上设有栅极合金层（107）和源极合金层（108），还包括位于沟槽侧壁上的栅极‑源极介质层B（110），沟槽底部电镀填充有栅极导电介质（201），栅极导电介质（201）上还填充有栅源介质层（209），还包括分别位于器件顶部和底部的源极金属（102）和漏极金属（103）。本申请以灵活调节电镀的电流大小、溶液配比等方式来实现栅极沟槽的良好填充，具有较强的导电能力、提升体二极管续流能力，减小了系统成本。

天眼查资料显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司，成立于2018年，位于宁波市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，派恩杰半导体（浙江）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息29条，专利信息113条，此外企业还拥有行政许可12个。

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来源：市场资讯