中晶新源申请寄生超级整流器MOSFET集成器件专利，提升有效性能

国家知识产权局信息显示，中晶新源（上海）半导体有限公司申请一项名为“一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件及其制作方法”的专利，公开号CN121357978A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件，包括MOS外延层、MOS沟槽栅、体区、源区、隔离层和接触孔；接触孔包括SBR结构区和金属柱；SBR结构区包括底部介质层、SBR金属栅极和SBR栅介质层；体区通过体接触区与金属柱形成欧姆接触，还分别与金属柱和SBR栅介质层连接。本发明另一方面公开了上述器件的制作方法，包括以下步骤：在外延层上制作MOS沟槽栅；设置体区、源区、隔离层和接触孔；在接触孔设置底部介质层和第一介质层；沉积SBR金属栅极；设置体接触区；蚀刻第一介质层和SBR金属栅极形成SBR结构区；设置金属柱和金属层。本发明的寄生结构不单独占用有源区的元胞结构，且每个MOS元胞都设置有相邻的具有寄生结构的接触孔，提升有效性能。

天眼查资料显示，中晶新源（上海）半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，中晶新源（上海）半导体有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息31条，此外企业还拥有行政许可1个。

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来源：市场资讯